
普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件,出现于70年代。是pnpn四层半导体结构,普通晶闸管它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。
普通晶闸管工作原理
普通晶闸管t在工作过程中,它的阳极a和阴极k与电源和负载连接,组成普通晶闸管的主电路,普通晶闸管的门极g和阴极k与控制普通晶闸管的装置连接,组成普通晶闸管的控制电路。 普通晶闸管的工作条件: 1. 普通晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,普通晶闸管都处于关断状态。 2. 普通晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下普通晶闸管才导通。 3. 普通晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,普通晶闸管保持导通,即普通晶闸管导通后,门极失去作用。 4. 普通晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,普通晶闸管关断。
普通晶闸管保护措施
普通晶闸管的主要缺点:过流、过压能力很差。普通晶闸管的热容量很小:一旦过流,温度急剧上升,器件被烧坏。 普通晶闸管承受过电压的能力极差:电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。正向电压超过转折电压时,会产生误导通,导通后的电流较大,使器件受损。 一、过流保护措施 快速熔断器:电路中加快速熔断器。 过流继电器:在输出端串接直流过电流继电器 过流截止电路:利用电流反馈减小普通晶闸管的 导通角或停止触发,从而切断过流电路。 二、过压保护 阻容吸收:利用电容吸收过压。即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中,然后由电阻消耗掉。 硒整流堆:硒堆为非线性元件,过压后迅速击穿,其电阻减小,抑制过压冲击。高电压过后,硒堆可恢复到击穿前的状态。
普通晶闸管产品展示
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